芯片常用封裝介紹

1、BGA 封裝 (ball grid array)

球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也 稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳 LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔(dān)心 QFP那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機(jī)中普及。最初，BGA的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。 BGA的問題是回流焊后的外觀檢查。現(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。

2、BQFP封裝 (quad flat package with bumper)

帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊)以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右(見QFP)。

3、碰焊 PGA 封裝 (butt joint pin grid array)

表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。

4、C-(ceramic) 封裝

表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。

5、Cerdip 封裝

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip，用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

6、Cerquad 封裝

表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝 EPROM電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。

帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見 QFJ)。

7、CLCC 封裝 (ceramic leaded chip carrier)

帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)。

8、COB 封裝 (chip on board)

板上芯片封裝是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？尚行?。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。

9、DFP(dual flat package)

雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。

10、DIC(dual in-line ceramic package)

陶瓷 DIP(含玻璃密封)的別稱(見 DIP)。

11、DIL(dual in-line) DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

12、DIP(dual in-line package) 雙列直插式封裝。

插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。 DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯 IC，存貯器 LSI，微機(jī)電路等。

引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm的封裝分別稱為 skinny DIP和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為 cerdip(見 cerdip)。

13、DSO(dual small out-lint)

雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱(見 SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

14、DICP(dual tape carrier package)

雙側(cè)引腳帶載封裝，TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是 TAB(自動帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照 EIAJ(日本電子機(jī)械工業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將 DICP命名為DTP。

15、DIP(dual tape carrier package)

同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP的命名(見 DTCP)。

16、FP(flat package)

扁平封裝，表面貼裝型封裝之一。QFP或 SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

17、Flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在 LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同，是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。

但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。其中SiS 756北橋芯片采用最新的Flip-chip封裝，全面支持AMD Athlon 64/FX中央處理器。支持PCI Express X16接口，提供顯卡最高8GB/s雙向傳輸帶寬。支持最高HyperTransport Technology，最高2000MT/s MHz的傳輸帶 寬。內(nèi)建矽統(tǒng)科技獨(dú)家Advanced HyperStreaming Technology，MuTIOL 1G Technology。

18、FQFP(fine pitch quad flat package)

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見 QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package)PQFP的封裝形式最為普遍。其芯片引腳之間距離很小，引腳很細(xì)，很多大規(guī)?；虺蠹呻娐范疾捎眠@種封裝形式，引腳數(shù)量一般都在100個以上。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板芯片采用這種封裝形式。此種封裝形式的芯片必須采用SMT技術(shù)(表面安裝設(shè)備)將芯片與電路板焊接起來。采用SMT技術(shù)安裝的芯片不必在電路板上打孔，一般在電路板表面上有設(shè)計好的相應(yīng)引腳的焊點。將芯片各腳對準(zhǔn)相應(yīng)的焊點，即可實現(xiàn)與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。SMT 技術(shù)也被廣泛的使用在芯片焊接領(lǐng)域，此后很多高級的封裝技術(shù)都需要使用SMT焊接。

以下是一顆AMD的QFP封裝的286處理器芯片。0.5mm焊區(qū)中心距，208根 I/O 引腳，外形尺寸28×28mm， 芯片尺寸10×10mm，則芯片面積/封裝面積=10×10/28×28=1:7.8，由此可見 QFP 比 DIP 的封裝尺寸大大減小了。

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19、CPAC(globe top pad array carrier)

美國 Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。

20、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝 (Ceramic Quad Flat-pack Package)

右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP)，這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工 業(yè)用晶片才有機(jī)會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來，照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。 外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機(jī)板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳，這種設(shè)計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。

21、H-(with heat sink)

表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。

22、Pin Grid Array(Surface Mount Type)

表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊 PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯 LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。

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23、JLCC 封裝(J-leaded chip carrier)

J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

24、LCC 封裝(Leadless chip carrier)

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。

25、LGA 封裝(land grid array)

觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?，F(xiàn)已實用的有227觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。

LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計今后對其需求會有所增加。

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芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。

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27、LQFP 封裝(low profile quad flat package)

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。

28、L-QUAD 封裝

陶瓷 QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm 中心距)的LSI邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。

29、MCM封裝(multi-chip module)

多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。

根據(jù)基板材料可分為MCM-L、MCM-C 和MCM-D 三大類。

MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。

MCM-C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。

MCM-D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

30、MFP 封裝( mini flat package)

小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(見 SOP和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

31、MQFP 封裝 (metric quad flat package)

按照J(rèn)EDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標(biāo)準(zhǔn)對QFP進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見 QFP)。

32、MQUAD封裝 (metal quad)

美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。

33、MSP封裝 (mini square package)

QFI的別稱(見 QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。

34、OPMAC封裝 (over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國 Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見 BGA)。

35、P-(plastic) 封裝

表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。

36、PAC 封裝 (pad array carrier)

凸點陳列載體，BGA的別稱(見 BGA)。

37、PCLP(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料 LCC)采用的名稱(見 QFN)。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開發(fā)階段。

38、PFPF(plastic flat package)

塑料扁平封裝。塑料QFP的別稱(見 QFP)。部分LSI廠家采用的名稱。

39、PGA(pin grid array)

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基 板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模邏輯LSI電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447左右。為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PGA。另外，還有一種引腳中心距為1.27mm的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊 PGA)(見表面貼裝型 PGA)。

40、Piggy Back

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與DIP、QFP、QFN相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè)備時用于評價程序確認(rèn)操作。例如，將EPROM插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是定制品，市場上不怎么流通。

內(nèi)存芯片識別方法

1、LGS：LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識； 
GM72V*****1**T** 
GM為LGS產(chǎn)品； 
72為SDRAM； 
第1、2個*代表容量，16為16Mbit，66為64Mbit； 
第3、4個*代表數(shù)據(jù)位寬，一般為4、8、16等，不補(bǔ)0； 
第5個*代表bank，2代表2個，4代表4個； 
第6個*代表是第幾個版本的內(nèi)核； 
第7個*如果是L就代表低功耗，空白為普通； 
“T”為TSOP II封裝；“I”為BLP封裝； 
最后的**代表速度： 
7：7ns(143MHz) 
7：7.5ns(133MHz) 
8：8ns(125MHz) 
7K：10ns(PC100 CL2&3) 
7J：10ns(PC100 CL3) 
10K：10ns(100MHz) 
12：12ns(83MHz) 
15：15ns(66MHz) 
2．Hyundai：現(xiàn)代的SDRAM芯片的標(biāo)識 
HY5*************-** 
HY為現(xiàn)代產(chǎn)品， 
5*表示芯片類型，57為SDRAM，5D為DDR SDRAM； 
第2個*代表工作電壓，空白為5伏；“V”為3，3伏；“U”為2；5伏； 
第3-5個*代表容量和刷新速度： 
16：16Mbit，4k Ref 
64：64Mbit，8k Ref 
65：64Mbit，4k Ref 
128：128Mbit，8k Ref 
129：128Mbit，4k Ref 
256：256Mbit，16k Ref 
257：256Mbit，8K Ref 
第6，7個*代表數(shù)據(jù)位寬，40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位； 
第8個*代表bank，1、2、3分別為2、4、8個bank； 
第9個*一般為0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口； 
第10個*可為空白或A、B、C、D等，代表內(nèi)核，越往后越新； 
第11個*如為L則為低功耗，空白為普通； 
第12，13個*代表封裝形式； 
最后幾位為速度： 
7：7ns(143MHz) 
8：8ns(133MHz) 
10P：10ns(PC100 CL2/3) 
10S：10ns(Pc100 CL3) 
10：10ns(100MHz) 
12：12ns(83MHz) 
15：15ns(66MHz) 
3．Micron： Micron的SDRAM芯片的標(biāo)識； 
MT48****M**A*TG-*** 
MT為Micron的產(chǎn)品； 
48代表SDRAM，其后的**如為LC則為普通SDRAM； 
M后的**表示數(shù)據(jù)的位寬；4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位； 
Micron的容量要自己算一下，將M前的**和其后的**相乘，得到的結(jié)果為容量； 
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk 
TG為TSOP II 封裝，LG為TGFP封裝； 
最后的**代表速度： 
7：7ns(143MHz) 
75：7.5ns(133MHz) 
8*：8ns(125MHz)，其中*為A-E，字母越往后越好； 
10：10ns(100MHz CL=3)； 
例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。  

如何根據(jù)內(nèi)存芯片標(biāo)識識別內(nèi)存(二) 
---- 許多朋友都會遇到這樣一個問題，在購買內(nèi)存時不知如何識別內(nèi)存的品牌、類型、容量、速度等參數(shù)。許多人都認(rèn)為內(nèi)存不經(jīng)過主板或?qū)Ｓ脵z測儀檢測難于識別，在此我們特為大家提供如下解讀內(nèi)存條的方法。鑒于篇幅限制，這里僅以市場上最常見的現(xiàn)代內(nèi)存、LG內(nèi)存以及KingMax內(nèi)存為例進(jìn)行說明。  
一、現(xiàn)代SDRAM內(nèi)存芯片的識別  
---- 現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識格式如下:  
HY 5X X    XXX XX X X X X XX - XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨     ⑩  
---- “HY”表明是現(xiàn)代的產(chǎn)品。  
---- ①代表的是內(nèi)存芯片種類: “51”為EDO，“57”為SDRAM，“5D”為DDR SDRAM。  
---- ②代表工作電壓: “U”為2.5V，“V”為3.3V，空白代表5V。  
---- ③代表一個內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號與密度及刷新速度的對應(yīng)關(guān)系如表1所示。  
---- ④代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分別代表輸出數(shù)據(jù)位寬為4位、8位、16位和32位。  
---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成: 其中“1”、“2”、“3”分別代表2個、4個和8個Bank。  
---- ⑥代表內(nèi)存接口: 一般為“0”，代表LVTTL接口。  
---- ⑦代表內(nèi)存版本號: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。  
---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示為正常功耗芯片。  
---- ⑨代表封裝類型: 其編號與封裝類型的對應(yīng)關(guān)系如下:  
“JC”: 400mil SOJ 
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ 
“TD”: TSOP-Ⅱ 
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD 
---- ⑩代表速度: 其編號與速度的對應(yīng)關(guān)系如下:  
“7”: 7ns(143MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3) 
“10s”: 10ns(PC-100 CL3) 
“10”: 10ns(100MHz) 
“12”: 12ns(83MHz) 
“15”: 15ns(66MHz) 
二、LG SDRAM內(nèi)存芯片的識別  
---- LG公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識格式如下:  
GM72V XX XX X X X X X XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧  
---- “GM”代表LG的產(chǎn)品。  
---- “72”代表SDRAM。  
---- “V”代表工作電壓為3.3V。  
---- ①代表一個內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號與密度及刷新速度的對應(yīng)關(guān)系如表2所示。  
---- ②代表數(shù)據(jù)位寬: 其中“4”、“8”、“16”分別代表4位、8位、16位等。  
---- ③代表內(nèi)存芯片內(nèi)部Bank: 其中“2”表示2個Bank，“4”表示4個Bank。  
---- ④代表內(nèi)存接口: “1”代表LVTTL。  
---- ⑤代表內(nèi)核版本。  
---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白則代表常規(guī)功耗。  
---- ⑦代表封裝類型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封裝，如果是“I”則代表BLP封裝。  
---- ⑧代表速度: 其編號與速度的對應(yīng)關(guān)系如下:  
“75”: 7.5ns(133MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3) 
“7J”: 10ns(100MHz) 
“10K”: 10ns(100MHz) 
“12”: 12ns(83MHz) 
“15”: 15ns(66MHz) 
三、KingMax SDRAM內(nèi)存芯片的識別  
---- KingMax公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識格式如下:  
KM X XX S XX X X X X X - X XX  
    ① ②     ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧     ⑨ ⑩  
---- “KM”表示KingMax的產(chǎn)品。  
---- ①代表內(nèi)存芯片種類: “4”代表DRAM。  
---- ②代表內(nèi)存芯片組成個數(shù): “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。  
---- “S”表明是SDRAM。  
---- ③代表一個內(nèi)存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。  
---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。  
---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成: “2”代表2個Bank，3代表4個Bank。  
---- ⑥代表內(nèi)存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。  
---- ⑦代表內(nèi)存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。  
---- ⑧代表封裝類型: “T”代表封裝類型為TSOP-Ⅱ。  
---- ⑨代表電源供應(yīng)方式: “G”代表自動刷新，“F”代表低電壓自動刷新。  
---- ⑩代表最少存取周期(最高頻率): 其編號與速度的對應(yīng)關(guān)系如下:  
“7”: 7ns(143MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“10”: 10ns(100MHz) 
“H”: 100MHz@CAS值為2 
“L”: 100MHz@CAS值為3 
---- 例如內(nèi)存標(biāo)識為“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K Ref，內(nèi)存Bank為3，內(nèi)存接口為LVTTL，第2代內(nèi)存，自動刷新，速度是10ns(100MHz)。   

內(nèi)存編號識別(三)

內(nèi)存作假主要是以低速內(nèi)存冒充高速度的，以低容量內(nèi)存冒充高容量的。要杜絕此類作假，就要學(xué)會識別內(nèi)存規(guī)格和內(nèi)存芯片編號，方法一般是看SPD芯片中的信息和內(nèi)存芯片上的編號，前者是內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范，后者由于廠家的不同，其編號規(guī)則也不同?！?/p>

從PC100標(biāo)準(zhǔn)開始內(nèi)存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當(dāng)開機(jī)時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設(shè)置內(nèi)存的存取時間。我們可以借助SPDinfo這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范。內(nèi)存技術(shù)規(guī)范統(tǒng)一的標(biāo)注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內(nèi)存規(guī)范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內(nèi)存標(biāo)注格式
（1）1.0---1.2版本
這類版本內(nèi)存標(biāo)注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時間），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內(nèi)存條上都有EEPROM，用來記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合Intel PC100規(guī)范的為

1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊。

（2）1.2b+版本　
其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鐘周期數(shù)表示；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時間），用時鐘周期數(shù)表示；ee代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，表達(dá)時不帶小數(shù)點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊?！?nbsp;

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內(nèi)存標(biāo)注格式　
威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133 CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在133MHz時最好能達(dá)到CAS=2。

PC133 SDRAM標(biāo)注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時間，用時鐘周期數(shù)表示；ff代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，表達(dá)時不帶小數(shù)點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。　

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標(biāo)注格式　
其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；cc表示CAS延遲時間，用時鐘周期數(shù)表示，表達(dá)時不帶小數(shù)點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時間，用時鐘周期數(shù)表示；ff代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，表達(dá)時不帶小數(shù)點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0?！?/p>

4、RDRAM 內(nèi)存標(biāo)注格式　
其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內(nèi)存容量；b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量；c代表內(nèi)存支持ECC；d保留；e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s，對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率800*1/2=400MHZ。　

5、各廠商內(nèi)存芯片編號　
內(nèi)存打假的方法除了識別內(nèi)存標(biāo)注格式外，還可以利用刻在內(nèi)存芯片上的編號。內(nèi)存條上一般有多顆內(nèi)存芯片，內(nèi)存芯片因為生產(chǎn)廠家的不同，其上的編號也有所不同。　

由于韓國HY和SEC占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，它們產(chǎn)的內(nèi)存芯片質(zhì)量穩(wěn)定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內(nèi)存，因此我們就先來看看它們的內(nèi)存芯片編號。

 ((1）HYUNDAI（現(xiàn)代）

現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no　

其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h

代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）?！?/p>

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩(wěn)定。一般來講，編號最后兩位是7K的代表該內(nèi)存外頻是PC100，75的是PC133的，但現(xiàn)代內(nèi)存目前尾號為75的早已停產(chǎn)，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現(xiàn)代內(nèi)存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現(xiàn)代內(nèi)存?！?/p>

（2）LGS［LG Semicon］　
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的內(nèi)存芯片也很常見。LGS SDRAM內(nèi)存芯片編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi　

其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數(shù)據(jù)位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內(nèi)核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS編號后綴中，7.5是PC133內(nèi)存；8是真正的8ns PC 100內(nèi)存，速度快于7K/7J；7K和7J屬于PC 100的SDRAM，兩者主要區(qū)別是第三個反應(yīng)速度的參數(shù)上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩(wěn)定；10K屬于非PC100規(guī)格的，速度極慢，由于與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創(chuàng))
　Kingmax的內(nèi)存采用先進(jìn)的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內(nèi)存都采用TSOP封裝。采用TinyBGA封裝的內(nèi)存，其大小是TSOP封裝內(nèi)存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩(wěn)定性，不過Kingmax內(nèi)存與主板芯片組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內(nèi)存在某些KT133主板上竟然無法開機(jī)。

Kingmax SDRAM內(nèi)存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內(nèi)存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩(wěn)定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內(nèi)存條，該類型內(nèi)存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X芯片組主板兼容問題，因此要好于REV1.1版本。購買Kingmax內(nèi)存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內(nèi)存打磨成7ns的PC133或PC150內(nèi)存，所以你最好用SISOFTSANDRA2001等軟件測試一下內(nèi)存的速度，注意觀察內(nèi)存上字跡是否清晰，是否有規(guī)則的刮痕，芯片表面是否發(fā)白等，看看芯片上的編號。

KINGMAX PC150內(nèi)存采用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內(nèi)存來的快；Kingmax的PC133內(nèi)存芯片是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內(nèi)存芯片有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區(qū)別在于：PC100的內(nèi)存有相當(dāng)一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內(nèi)存卻可以保證100%穩(wěn)定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風(fēng)金條)
金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍(lán)'五種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應(yīng)不同的主板。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條Ｐ針對PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍(lán)A色金條針對AMD750/760K7系主板，面向超頻玩家；藍(lán)V色金條針對KX133主板；藍(lán)T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。

金邦內(nèi)存芯片編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32　
其中GL2000代表芯片類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產(chǎn)品；6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設(shè)備號碼（深度*寬度，內(nèi)存芯片容量 = 內(nèi)存基粒容量 * 基粒數(shù)目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 內(nèi)存基粒容量；8 = 基粒數(shù)目；M = 容量單位，無字母=Bits

，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識

號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度?！?br/>（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星

256Kbit*16=4Mb內(nèi)存。
三星SDRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代

、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H= 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第2代內(nèi)存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)?！?/p>

三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA 
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 
三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內(nèi)存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =

7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 =64m/4K (15.6μs)，內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP 

Ⅱ，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存條），其SDRAM芯片編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDRSDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，

R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四類：　

（A）DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns 
SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鐘率 @ CL3） 
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鐘率 @ CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz　

（B）Rambus（時鐘率）　
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含義 
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） 
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） 
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） 
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2） 
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） 
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，

16M8=16*8MB=128MB，133MHz　
（7）其它內(nèi)存芯片編號　
NEC的內(nèi)存芯片編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產(chǎn)品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數(shù)據(jù)位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數(shù)（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的芯片，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代

表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代表速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設(shè)為2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL3］，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規(guī)范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。　

HITACHI的內(nèi)存芯片編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產(chǎn)品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內(nèi)核（現(xiàn)在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2

或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內(nèi)存芯片編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［CL3］，10=100MHz［PC66規(guī)格］）。　

TOSHIBA的內(nèi)存芯片編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產(chǎn)品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數(shù)據(jù)位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內(nèi)核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3］）。　

IBM的內(nèi)存芯片編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產(chǎn)品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內(nèi)核的版本；10代表速度（68=6.8ns［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］，　260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時的標(biāo)定速度為：135MHZ，10=10NS［100MHz］。